Luận án Tiến sĩ Hóa học: nghiên cứu tổng hợp, đánh giá tính chất xúc tác trong phản ứng chuyển hóa A-pinen của các axit rắn trên cơ sở vật liệu Zeolit-y và MCM-22
8,987
931
124
48
thì có hoạt tính rất thấp. Nếu xúc tác tồn tại cả hai loại tâm trên thì hoạt
tính xúc tác
lại tăng lên rất nhiều [33]. Đối vi xúc tác SZ, s chọn lọc tạo thành camphen
là chủ
yếu vi độ chuyển hóa gần như không đổi đạt 58% sau 2 giờ phản ứng. Khi xúc tác
được nung các nhiệt độ cao hơn 350
0
C hay 500
0
C độ chuyển hóa giảm, độ chọn
lọc camphen cũng không có bất kỳ s thay đổi nào (hình 1.33).
Hình 1.33: Sự hình thành camphen trên tâm axit của xúc tác ZrO
2
/SO
4
2-
Như vy, chuyển hóa sinh khối nói chung, chuyển hóa tecpen nói riêng
trong đó có α-pinen nguồn hidrocacbon thiên nhiên có nhiều cấu trúc tương t các
hóa chất từ dầu mỏ là hưng đi cần phát triển hiện nay. Mặt khác, các zeolit vt
liệu
xúc tác trên cơ s nhôm silicat tinh thể vi tính chất đa dạng về cấu trúc mao
quản
và s biến tính nhằm thay đổi linh hoạt tính axit là xúc tác xanh, sạch, thân
thiện vi
môi trường. Trong đó, zeolit Y đang là thành phần cơ bản của công nghệ crackinh
xúc tác tầng sôi FCC- trái tim của mọi nhà máy lọc dầu trên thế gii và đặc biệt
là
zeolit thế hệ mi MCM-22 đang được ứng dụng trong công nghệ hóa dầu
etylbenzen, cumen. Đây là 2 công nghệ tổng hợp hu cơ, hóa dầu MobilBadger ln
nhất hiện nay.
Trong lun án này nghiên cứu điều chế các zeolit NaY, NaMCM-22 và thc
hiện biến tính thành các dạng: HY, HMCM-22, CuY, CuMCM-22 nhằm tạo ra các
hệ xúc tác có tính chất axit Bronstet và Liuyt khác nhau. Nghiên cứu phản ứng
chuyển hóa α-pinen pha lỏng trên 4 hệ xúc tác HY, HMCM-22, CuY, CuMCM-
22. Trên cơ s tính chất axit kết hợp cng cấu trúc mao quản của 2 hệ xúc tác
zeolit
đánh giá hưng phản ứng tìm hiểu cơ chế phản ứng, biện lun tính chất chọn lọc
sản
phẩm tạo thành.
Camphen
49
CHƯƠNG 2: THỰC NGHIỆM
2.1. Tổng hợp zeolit NaY, HY, CuY, NaMCM-22, HMCM-22 và CuMCM-22
2.1.1. Hóa chất:
- Dung dịch Cu(NO
3
)
2
0,1M
- Dung dịch TEOS: (C
2
H
5
O)
4
Si
- Hidroxit nhôm: Al(OH)
3
- Chất tạo cấu trúc hexametylenimin (HMi)- C
6
H
12
NH (của Merk)
- Dung dịch NaOH
- Nưc đề ion
- Dung dịch NH
4
Cl 0,1M
2.1.2. Thiết bị thí nghiệm:
- Máy khuấy từ có điều chỉnh nhiệt độ
- Cân phân tích
- Autoclave, bình teflon
- Tủ sấy, lò nung, lò ủ
- Máy li tâm
2.1.3. Qui trình tng hp zeolit HY v CuY
*/Tổng hp zeolit NaY:
Sử dụng 162 ml nưc đề ion hòa tan 18,5gam NaOH vi 11,5gam Al(OH)
3
và 0,1gam NaCl thành dung dịch trong suốt. Khuấy liên tục cho đến khi tạo dung
dịch đồng nhất thì nhỏ từ từ dung dịch này vào 11 ml dung dịch TEOS rồi tiếp tục
khuấy liên tục trong vòng 24 giờ. Sau đó để dung dịch này tnh trong vòng 24 giờ
đến khi gel được hình thành thì cho kết tinh trong autoclave nhiệt độ 100
0
C trong
24 giờ. Dung dịch thu được đem lọc rửa nhiệt độ phòng bằng nưc đề ion đến
pH=7, sau đó đem sấy khô chất rắn 100
0
C trong 12 giờ rồi nung trong không khí
550
0
C trong 10 giờ.
*/ Chuyển xúc tác về dạng HY:
Bưc 1: zeolit Y (dạng NaY) được trao đổi vi ion amoni. Lấy 5gam
zeolit Y cho vào bình tam giác 250ml thêm vào đó 100ml dung dịch NH
4
Cl 0,1M,
lắc đều hỗn hợp trong 3 giờ. Bưc này được lặp lại 3 lần.
50
Bưc 2: sau mỗi bưc trao đổi ta lọc lấy chất rắn và rửa sạch hết các ion
t do bằng nưc cất.
Quá trình này được lặp lại 3 lần.
Bưc 3: chất rắn sau khi lọc rửa được sấy khô 100
o
C trong 10 giờ sau đó
nung 500
o
C trong 4 giờ.
*/Chuyển xúc tác HY về dạng CuY:
Bưc 1: zeolit Y (dạng HY) được trao đổi vi ion Cu
2+
. Lấy 1,0 gam
zeolit HY cho vào bình tam giác 250ml thêm vào đó 100ml dung dịch Cu(NO
3
)
2
0,1M rồi lắc đều hỗn hợp trong 3 giờ. Bưc này được lặp lại 3 lần.
Bưc 2: sau mỗi bưc trao đổi ta lọc lấy chất rắn và rửa sạch hết các ion
t do bằng nưc cất.
Quá trình này được lặp lại 3 lần.
Bưc 3: chất rắn sau khi lọc rửa được sấy khô 100
o
C trong 12 giờ sau đó
nung 500
o
C trong 4 giờ.
2.1.4. Quy trnh tng hp HMCM-22 v CuMCM-22:
*/Tổng hp zeolit NaMCM-22:
Điều chế dung dịch NaAl(OH)
4
: Hoà tan hoàn toàn 4,4 gam Al(OH)
3
vào
dung dịch chứa 5,7 gam NaOH cùng 8,5ml chất tạo cấu trúc HMI pH = 12 rồi
khuấy đến khi tạo dung dịch đồng nhất. Nhỏ từ từ dung dịch này vào 23,6ml dung
dịch TEOS rồi khuấy liên tục cho đến khi hình thành gel. Sau đó gel được kết
tinh
tnh trong autoclave nhiệt độ phòng sau 24 giờ rồi nung 150
0
C trong khoảng
thời gian 72 giờ tính từ khi đạt nhiệt độ 150
0
C. Sau quá trình kết tinh, để đến nhiệt
độ phòng và rửa sạch bằng nưc deion đến pH=7. Tiếp tục làm khô nhiệt độ
100
0
C trong 12 giờ và nung trong không khí tại nhiệt độ 550
0
C trong 10 giờ để loại
template và ổn định cấu trúc. Xúc tác thu được rất xốp và trắng.
*/ Chuyển xúc tác về dạng HMCM-22:
Bưc 1: zeolit NaMCM-22 được trao đổi vi ion amoni. Lấy 1,0 gam
zeolit NaMCM-22 cho vào bình tam giác 250ml thêm vào đó 100ml dung dịch
NH
4
Cl 0,1M, lắc đều hỗn hợp trong 3 giờ. Bưc này được lặp lại 3 lần.
51
Bưc 2: sau mỗi bưc trao đổi ta lọc lấy chất rắn và rửa sạch hết các ion
t do bằng nưc cất.
Quá trình này được lặp lại 3 lần.
Bưc 3: chất rắn sau khi lọc rửa được sấy khô 100
o
C trong 10 giờ sau đó
nung 500
o
C trong 4 giờ.
*/Chuyển xúc tác HMCM-22 về dạng CuMCM-22
Bưc 1: zeolit HMCM-22 được trao đổi vi ion Cu
2+
. Lấy 1,0 gam zeolit
HMCM-22 cho vào bình tam giác 250ml thêm vào đó 100ml dung dịch Cu(NO
3
)
2
0,1M rồi lắc đều hỗn hợp trong 3 giờ.
Bưc 2: sau mỗi bưc trao đổi ta lọc lấy chất rắn và rửa sạch hết các ion
t do bằng nưc cất.
Bưc 3: chất rắn sau khi lọc rửa được sấy khô 100
o
C trong 12 giờ sau đó
nung 500
o
C trong 4 giờ.
2.2. Các phương pháp nghiên cứu đặc trưng xúc tác
2.2.1. Phương pháp nhiễu xạ tia X
Phương pháp nhiễu xạ Rơnghen da trên cơ s của s tương tác gia chm
tia X vi cấu tạo mạng tinh thể. Khi chm tia X đi ti bề mặt tinh thể và đi vào
bên
trong mạng lưi tinh thể thì mạng lưi này đóng vai trò như một cách tử nhiễu xạ
đặc biệt. Trong mạng tinh thể, các nguyên tử hay ion có thể phân bố trên các mặt
phẳng song song vi nhau. Khi bị kích thích bi chm tia X, chúng sẽ tr thành
các
tâm phát ra tia phản xạ. Nguyên tắc cơ bản của phương pháp nhiễu xạ tia X để
nghiên cứu cấu tạo mạng tinh thể da vào phương trình Vulf-Bragg:
Hình 2.1: Sự phản xạ trên bề mặt tinh thể
2dsin = n
Trong đó:
d - Là khoảng cách hai mặt phẳng song song
B C
O
A
1
2
1'
2'
d
I
II
52
- Góc gia chm tia X và mặt phẳng phản xạ
n - Bc nhiễu xạ
Từ cc đại nhiễu xạ trên giản đồ, góc 2 sẽ được xác định. Từ đó suy ra d
theo hệ thức Vulf-Bragg. Mỗi vt liệu có một bộ các giá trị d đặc trưng. So sánh
giá
trị d của mu phân tích vi giá trị d chuẩn lưu tr sẽ xác định được đặc điểm,
cấu
trúc mạng tinh thể của mu nghiên cứu. Chính vì vy, phương pháp này được sử
dụng để nghiên cứu cấu trúc tinh thể, đánh giá mức độ kết tinh và phát hiện ra
pha
tinh thể lạ của vt liệu.
Phổ nhiễu xạ tia X được ghi trên máy D5005 của Đức, ống phát tia X bằng
đồng vi bưc sóng K
=1,5406Å, điện áp 40KV, cường độ dòng ống phát là 30mA,
góc quét 2 thay đổi từ 5 - 35
0
, tốc độ quét là 0,2
0
/phút tại bộ môn Vt lý chất rắn
khoa Vt lý trường ĐHKHTN-ĐHQGHN.
2.2.2. Phương pháp tán xạ năng lượng tia X (EDX- Energy-Dispersive analysis
of X-rays)
Phổ tán xạ năng lượng tia X, hay phổ tán sắc năng lượng là k thut phân
tách thành phần hóa học của vt rắn da vào việc ghi lại phổ tia X phát ra từ
vt
rắn do tương tác vi các bức xạ (mà chủ yếu là chm điện tử có năng lượng cao
trong kính hiển vi điện tử).
Hình 2.2: Nguyên lý của phép phân tích EDX
nh vi cấu trúc vt rắn được ghi lại thông qua việc sử dụng chm điện tử có
năng lượng cao tương tác vi vt rắn. Khi chm điện tử có năng lượng ln được
chiếu vào vt rắn, nó sẽ đâm xuyên sâu vào nguyên tử vt rắn và tương tác vi
các
lp điện tử bên trong của nguyên tử. Tương tác này dn đến việc tạo ra các tia X
53
cóbưc sóng đặc trưng tỉ lệ vi nguyên tử số (Z) của nguyên tử theo định lut
Mosley:
Có ngha là, tần số tia X phát ra là đặc trưng vi nguyên tử của mỗi chất có
mặt trong chất rắn. Việc ghi nhn phổ tia X phát ra từ vt rắn sẽ cho thông tin
về
các nguyên tố hóa học có mặt trong mu đồng thời cho các thông tin về tỉ phần
các
nguyên tố này.
Có nhiều thiết bị phân tích EDX nhưng chủ yếu EDX được phát triển trong
các kính hiển vi điện tử, đó các phép phân tích được thc hiện nhờ các chm
điện
tử có năng lượng cao và được thu hp nhờ hệ các thấu kính điện từ. Phổ tia X
phát
ra sẽ có tần số (năng lượng photon tia X) trải trong một vng rộng và được phân
tích nhờ phổ kế tán sắc năng lượng do đó ghi nhn thông tin nhờ detector dịch
chuyển (thường là Si, Ge, Li...) được làm lạnh bằng nitơ lỏng, là một con chip
nhỏ
tạo ra điện tử thứ cấp do tương tác vi tia X, rồi được đi vào một anốt nhỏ.
Cường
độ tia X tỉ lệ vi tỉ phần nguyên tố có mặt trong mu. Độ phân giải của phép
phân
tích phụ thuộc vào kích cỡ chm điện tử và độ nhạy của detector. Phương pháp này
có thể xác định đồng thời hình dạng, kích thưc mao quản và tỉ lệ các nguyên tố
phân tán trên bề mặt vt liệu.
Phổ tán xạ năng lượng tia X được đo trên máy hiển vi điện tử HURACHI S-
5200 tại Viện Vt liệu-Viện Hàn lâm & Khoa học Công nghệ Việt Nam.
2.2.3.Phương pháp kính hiển vi điện tử quét (SEM)
Một chm tia điện tử đi qua các thấu kính điện từ tiêu tụ thành một điểm rất
nhỏ chiếu lên bề mặt mu nghiên cứu. Khi các điện tử của chm tia ti va chạm
vi
các nguyên tử bề mặt vt rắn thì có nhiều hiệu ứng xảy ra. Từ điểm bề mặt
mu
mà chm điện tử chiếu đến, có nhiều loại hạt, loại tia được phát ra gọi chung là
các
loại tín hiệu. Mỗi loại tín hiệu phản ánh một đặc điểm của mu tại thời điểm
được
điện tử chiếu đến (số lượng điện tử thứ cấp phát ra phụ thuộc độ lồi lõm bề
mặt
mu, số điện tử tán xạ ngược phát ra phụ thuộc nguyên tử số Z, bưc sóng tia X
phát ra phụ thuộc nguyên tử mu là nguyên tố nào…). Cho chm điện tử quét lên
mu, và quét một cách đồng bộ một tia điện tử trên một màn hình. Thu và khuếch
54
đại một loại tín hiệu nào đó từ mu phát ra để làm thay đổi cường độ sáng của
tia
điện tử quét trên màn hình, ta thu được ảnh. Nếu thu tín hiệu mu là điện tử
thứ
cấp ta có kiểu ảnh điện tử thứ cấp, độ sáng tối trên ảnh cho biết độ lồi lõm
trên bề
mặt mu. Vi các mu dn điện, chúng ta có thể thu trc tiếp điện tử thứ cấp của
mu phát ra, còn vi các mu không dn điện chúng ta phải tạo trên bề mặt mu
một lp kim loại (thường là vàng hoặc platin).
Hình 2.3: Sơ đồ nguyên lý máy chụp SEM
Trong kính hiển vi điện tử quét, các thấu kính dng để tp trung chm điện
tử thành điểm nhỏ chiếu lên mu chứ không dng để phóng đại. Cho tia điện tử
quét
trên mu vi biên độ nhỏ d (cỡ micromet) còn tia điện tử quét trên màn hình vi
biên độ ln D (tuỳ theo kích thưc màn hình), ảnh có độ phóng đại D/d. ảnh được
phóng đại theo phương pháp này thì mu không cần phải cắt lát mỏng và phẳng,
cho phép quan sát được mu kể cả khi bề mặt mấp mô [48, 114].
Độ phóng đại của kính hiển vi điện tử quét thông thường từ vài chục ngàn đến
vài trăm ngàn lần, năng suất phân giải phụ thuộc vào đường kính của chm tia
chiếu
hội tụ trên mu. Vi sóng điện tử thông thường (dây sợi đốt hình ch V), năng
suất
phân giải là 10 nm đối vi ảnh bề mặt bằng cách thu điện tử thứ cấp, do đó có
thể
qua sát thấy hình dạng và kích thưc của các hạt vt liệu ln >20nm.
55
Mu được chụp ảnh qua kính hiển vi điện tử quét trên máy SEM-JEOL- JSM
5410 của Nht tại bộ môn Vt lý chất rắn, khoa Vt lý trường ĐHKHTN-
ĐHQGHN.
2.2.4. Phương pháp hiển vi điện tử truyền qua phân giải cao ( HRTEM)
(High Resolution Transmission Electron Microscopy - HRTEM)
Phương pháp da trên việc sử dụng chm tia điện tử để tạo ảnh mu nghiên
cứu. Chm tia được tạo ra từ catot qua hai “tụ quang” điện tử sẽ được hội tụ lên
mu nghiên cứu. Khi chm tia điện tử đp vào mu sẽ phát ra các chm tia điện tử
truyền qua. Các điện tử truyền qua này được đi qua điện thế gia tốc rồi vào phần
thu
và biến đổi thành tín hiệu ánh sáng, tín hiệu được khuếch đại, đưa vào mạng lưi
điều khiển tạo độ sáng trên màn ảnh. Mỗi điểm trên mu cho một điểm tương ứng
trên màn. Độ sáng tối trên màn ảnh phụ thuộc vào lượng điện tử phát ra ti bộ
thu
và phụ thuộc vào hình dạng bề mặt mu nghiên cứu. Phương pháp HRTEM được sử
dụng trong việc đặc trưng bề mặt và cấu trúc vt liệu.
nh HRTEM của mu được chụp hiệu điện thế 80,0 KV tại phòng Hiển vi
điện tử, Viện Vệ sinh dịch tễ Trung ương, có độ phóng đại ảnh từ 300000 đến
500000 lần.
2.2.5. Phương pháp khử hidro theo chương trình nhiệt độ (TPR-H
2
)
Tốc độ khử là hàm của nhiệt độ cho phép nghiên cứu trạng thái oxi hoá khử
bề mặt và khối rắn được Robertson đưa ra vào năm 1975. Hỗn hợp khí khử thường
dng là khí H
2
có nồng độ loãng được đưa qua bề mặt mu cần phân tích và nhiệt
độ của mu được nâng theo chương trình nhiệt độ. Khi quá trình khử bắt đầu thì
nồng độ H
2
giảm dần và làm thay đổi độ dn nhiệt của hỗn hợp. S thay đổi này
được xác định được bằng detector dn nhiệt TCD và được chuyển đổi thành tín hiệu
TCD. Kết thúc quá trình khử độ dn nhiệt sẽ ổn định và quay tr về vị trí ban
đầu.
Trong quá trình khử các kim loại có số oxi hoá cao sẽ bị khử về trạng thái oxi
hoá thấp hơn. Mỗi pic khử sẽ tương ứng vi một mức chuyển trạng thái oxi hoá của
kim loại. Da vào diện tích pic xuất hiện trên giản đồ TPR sẽ xác định được
lượng
H
2
tiêu thụ. Lượng H
2
tiêu hao ít hay nhiều phụ thuộc vào hàm lượng các trạng
thái bị khử của kim loại. Nhiệt độ khử sẽ tương ứng vi s khó hay dễ bị khử của
56
kim loại nghiên cứu. Phương pháp khử hoá theo chương trình nhiệt độ được dng
để nghiên cứu trạng thái oxy hoá khử của bề mặt và khối chất rắn, s phân tán
kim
loại-oxit và s tương tác pha, các trạng thái tồn tại của kim loại: CuO, Cu
2+
, Cu
+
,
Cu
2
O .
Quá trình khử hoá theo chương trình nhiệt độ được tiến hành trên máy
AutoChem II 2920 Micromeritics tại Phòng thí nghiệm Lọc Hoá Dầu và Vt liệu
xúc tác, Khoa công nghệ Hoá học - Trường Đại Học Bách Khoa Hà Nội.
2.2.6. Phương pháp giải hấp phụ amoniac theo chương trình nhiệt độ
( TPD-NH
3
).
Amoniac được hấp phụ bão hoà trên các tâm axit của bề mặt xúc tác
khoảng nhiệt độ hấp phụ hoá học của vt liệu rắn, xốp. Khi tăng nhiệt độ vi tốc
độ
không đổi, năng lượng nhiệt cung cấp sẽ ln hơn năng lượng hấp phụ NH
3
. Do đó,
NH
3
sẽ
bị giải hấp phụ ra khỏi bề mặt xúc tác và được khí mang đưa đến đetectơ để
định lượng. Lượng khí giải hấp sẽ được ghi theo nhiệt độ.
Hằng số tốc độ giải hấp phụ được xác định theo phương trình:
K = Ko . exp [-E
d
/RT]
Như vy, cng nhiệt độ, năng lượng giải hấp E
d
càng nhỏ thì giá trị K càng
ln. Điều đó có ngha là quá trình giải hấp sẽ ưu tiên cho nhng liên kết có
năng
lượng hoạt hoá thấp. Chính vì vy, quá trình giải hấp trên các tâm axit yếu sẽ
xảy ra
trưc và quá trình giải hấp trên các tâm axit mạnh sẽ xảy ra nhiệt độ cao hơn.
Từ
lượng NH
3
giải hấp các nhiệt độ khác nhau có thể đánh giá độ axit và lc axit
tương ứng. Độ axit của xúc tác (qui về đơn vị mmol NH
3
/gam xúc tác) được xác
định theo tổng diện tích pic NH
3
giải hấp. Lc của các tâm axit được đánh giá da
vào giá trị nhiệt độ tại đó lượng NH
3
giải hấp cc đại (Tmax). Giá trị Tmax càng
ln thì tâm axit có lc càng mạnh và ngược lại.
Da trên nhiệt độ giải hấp phụ NH
3
ta có thể phân loại các tâm axit như sau:
- Các tâm giải hấp phụ NH
3
tại t
0
Tmax ≤ 200
0
C: tâm axit yếu.
- Các tâm giải hấp phụ NH
3
tại t
0
200
0
C ≤ Tmax ≤ 400
0
C: tâm axit trung bình.
- Các tâm giải hấp phụ NH
3
tại t
0
Tmax ≥ 400
0
C: tâm axit mạnh.
57
Đo độ axit của mu nghiên cứu bằng phương pháp giải hấp phụ NH
3
theo
chương trình nhiệt độ trên máy AUTOCHEM II 2920 của hãng Micromeristics
(Mỹ) tại phòng thí nghiệm công nghệ lọc hoá dầu và vt liệu xúc tác - Đại học
Bách
Khoa Hà Nội.
Mu được gia nhiệt đến 300
0
C trong dòng khí He để làm sạch hơi ẩm và các
tạp chất trên bề mặt. Mu nghiên cứu sau đó được hấp phụ NH
3
120
0
C đến trạng
thái bão hoà. Tiến hành giải hấp phụ bằng cách nâng nhiệt độ trong dòng khí He
đến 500
0
C, tốc độ gia nhiệt là 10
0
C/ phút. Hàm lượng khí giải hấp phụ được xác
định bằng detector dn nhiệt TCD.
2.2.7.Phương pháp phổ hồng ngoại (FTIR)
Phương pháp phổ hồng ngoại da trên cơ s của s tương tác của bức xạ có
bưc sóng nằm trong miền hồng ngoại (400-4000cm
-1
). Kết quả của s tương tác sẽ
dn ti chất nghiên cứu hấp thu một phần năng lượng và làm giảm cường độ tia
ti.
Lúc này, phân tử sẽ thc hiện dao động làm thay đổi các góc liên kết và độ dài
liên
kết gia các nguyên tử trong phân tử.
Hai loại dao động được thể hiện trên phổ hồng ngoại là dao động hóa trị (làm
thay đổi chiều dài liên kết mà không làm thay đổi góc liên kết) và dao động biến
dạng (chỉ thay đổi góc liên kết mà không thay đổi chiều dài liên kết). Nhng dao
động này làm thay momen lưỡng cc điện của liên kết sẽ làm xuất hiện tín hiệu
hồng ngoại. Kết quả được thể hiện bằng đường cong biểu diễn s phụ thuộc của mt
độ quang vào bưc sóng gọi là quang phổ hấp thụ hồng ngoại.
2.3. Cách tin hành phản ứng chuyển hóa α-pinen
Trưc khi thc hiện phản ứng xúc tác được làm khô 100
0
C trong 4 giờ rồi
nung nhiệt độ 500
0
C trong 2 giờ. Phản ứng chuyển hóa α-pinen được thc hiện
pha lỏng trong bình cầu 3 cổ dung tích 50ml có sinh hàn hồi lưu. Tỉ lệ α-pinen/
xúc
tác = 2 ml/0,5 gam. Tỉ lệ dung môi cumen/ α-pinen = 10:1 (ml). Phản ứng chuyển
hóa α-pinen được tiến hành trong thời gian từ 1 giờ ÷ 5 giờ tại các nhiệt độ
khác
nhau: 80
0
C; 100
0
C; 120
0
C. Sau thời gian phản ứng 1 giờ, 3 giờ, 5 giờ tiến hành lấy
hỗn hợp sản phẩm mang phân tích trên máy sắc ký khí GC-MS.